Напыление резистивных слоев термическим, ионно-плазменным и магнетронным методами.

Напыление резистивных слоев К-20С, К-30С, К-50С(50-10000Ом/В), РС-3710, РС-5406, РС-4206, РС-3001 с  = 30 Ом/кв – 10000 Ом/ кв.

Напыление термочувствительных металлических пленок с  = 0,5 Ом/кв – 1,2 Ом/ кв.

Напыление слоев Та, Cr, Ni, V, Cu, Al, Ti, SiO с толщиной до 1 мкм.

Напыление специального прозрачного защитного слоя, позволяющего увеличить стабильность применяемой резистивной пленки в 2-10 раз - до 0,005% за 1000 часов при 70 oC.

Технология подгонки ТКС тонкопленочных резисторов до ±2x10-6 oC-1 в диапазоне температур 5-40 oC  на подложках (48x60мм) и платах (ситалл, поликор)

Ионное и ионно-химическое травление резистивных слоев и пленок SiO.

Термическая обработка напыленных пленок в диапазоне температур 150 – 1300 oC.

ИФК-термообработка напыленных пленок при температуре до  500 oC.

• Технология изготовления образцовых и эталонных резисторов;
• Технология изготовления многоразрядных сверхпрецизионных гибридных интегральных схем цифро-аналоговых преобразователей(ГИС ЦАП) и микросборок аналого-цифровых преобразователей напряжений вращающихся трансформаторов (АЦП ВТ);
• Технология изготовления высокоомных терморезисторов с заданным значением сопротивления и ТКС.

Тонкопленочные наборы резисторов производства ОАО "НИИЭМП" соответствуют, а по некоторым техническим характеристикам превосходят лучшие мировые аналоги.

Научно-производственный комплекс тонкопленочной технологии в составе ОАО «НИИЭМП» располагает 2000 м2 производственных площадей и необходимым технологическим, контрольно-измерительным и испытательным оборудованием. В его составе имеются установки вакуумного напыления – термического, ионно-плазменного, магнетронного, установки ионного травления резистивных пленок, линии фотолитографии, установки зондового контроля и разбраковки; установки микросварки алюминиевой и золотой проволокой; прецизионное термическое оборудование; установки для проведения отбраковочных испытаний – смены температур, электротермотренировки, контроля герметичности, уникальное контрольно-измерительное оборудование с применением современных ПЭВМ, статобработкой результатов и документированием результатов измерений.

Высокая надежность изделий достигается применением действующей сертифицированной системы менеджмента и качества.

Все выпускаемые изделия проходят 100 часовую наработку в максимальных электрических режимах и максимальной рабочей температуре.

Технологический процесс изготовления изделий включает многочисленные операции межоперационного контроля с документированием результатов контроля и обладает функцией прослеживаемости процесса производства. Все используемые в производстве изделий материалы и комплектующие проходят входной контроль; бескорпусные полупроводниковые микросхемы, используемые в производстве ГИС и микросборок, дополнительно проходят операции электротермотренировки перед установкой их в изделие.

Высокий уровень электрических параметров достигается оригинальными техническими решениями в области конструирования и технологии, подтвержденными патентами и авторскими свидетельствами.

Основные технические характеристики:

а) тонкопленочных наборов резисторов

• номинальное значение сопротивления резисторов, Ом - 10…107;
• количество резисторов в наборе, шт. – до 46;
• допускаемое отклонение сопротивления резисторов, %, не более – ±(0,001…1,0);
• температурный коэффициент сопротивления резисторов, х10-61/оС, - ±(1,0 – 50,0) для диапазона температур (минус 60…100) оС;
• номинальная мощность рассеяния резисторов, Вт, не более – 0,125;
• погрешность коэффициентов деления (отношения), % - до ±0,0015;
• погрешность коэффициентов деления R-2R наборов резисторов, % - до ±0,01;
• уровень шумов, мкВ/В, не более – 1,0...0,05;
• конструкция – пластмассовые, металлокерамические и металлостекляные корпуса для п/п приборов.

б) гибридных интегральных схем ЦАП

• число разрядов – 16, 18;
• дифференциальная нелинейность, % - до ±0,0002;
• нелинейность, % - до ±0,0002.

в) терморезисторов: малогабаритные высокоомные с заданным значением R и ТКС:

• номинальное сопротивление при 0 oC (R0), Ом - 102...104;
• допускаемое отклонение R0, % - ±0,2;
• номинальное отношение сопротивления R0 к сопротивлению при 100 oC (W100) – 1,35, 1,4; 1,45;
• погрешность измерения температуры, oC, не более - (±0,5...±0,007) t, где t - измеряемая температура;
• диапазон рабочих температур, oC - минус 60...200;
• габаритные размеры, мм х мм х мм - до 10 x 5 x 2.

г) микросборок : унифицированный ряд одноотсчетных 12, 14, 16 - разрядных АЦП напряжений вращающихся трансформаторов:

• погрешность координат смены кода единиц младшего значащего разряда - 2;
• габаритные размеры, мм х мм х мм - 60 x 40 x 8.