Так все начиналось…

ОАО «НИИЭМП» - многопрофильное предприятие, специализирующееся на разработке и производстве электронных компонентов.

В начале 60-х годов разработками и изготовлением электронных компонентов из-за отсутствия специализированных предприятий вынуждены были заниматься самостоятельно многие аппаратостроительные заводы различных министерств и ведомств страны.

Несогласованность в проведении разработок, отсутствие унификации, специальных руководящих материалов и другой нормативно-технической документации породили большую номенклатуру резисторов, различных по конструктивному исполнению и значительно отличающихся по условиям эксплуатации и техническим характеристикам.

Возникла необходимость создания специализированных предприятий по разработке и массовому изготовлению радиодеталей.

3 декабря 1958 г. Совет Министров СССР принял Постановление № 1315-633 «О мерах по развитию специализированного производства и научно-исследовательской базы по радиодеталям».

В соответствии с этим Постановлением Госкомитет СССР по радиоэлектронике издал приказ № 1 от 3 января 1959 г. о создании Государственного Союзного научно-исследовательского института № 481, а 9 января 1959 г. Заместитель Председателя Госкомитета СССР по радиоэлектронике А. Захаров утвердил Положение № 107 «О Государственном Союзном научно-исследовательском институте № 481», впоследствии получившем название «Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов» (НИИЭМП).

Первым главным инженером был назначен Ермаков Евгений Иванович. На него же временно были возложены обязанности директора института, а в октябре 1959 г. директором института назначается Железнов Михаил Тимофеевич.

Решение поставленных перед НИИЭМП задач было невозможно без развития экспериментально-производственной базы по отработке технологии изготовления разрабатываемых институтом изделий. В соответствии с приказом Госкомитета СССР по радиоэлектронике № 119 от 17 июля 1962 г. с 1 октября 1962 г. при НИИЭМП был организован опытный завод, директором которого был назначен Сафронов Павел Васильевич.

Опытный завод стал мощной экспериментально-производственной базой института по отработке технологий производства вновь разрабатываемых изделий и наладил их мелкосерийное производство.

Большой вклад в развитие науки, расширение производственных площадей, инфраструктуры института и опытного завода внесли директора НИИЭМП Иванов А.Н., Буц В.П., Недорезов В.Г. и директора опытного завода Мукин В.М., Тамбовцев Н.С и Сипатов Б.С.

В период с 1960 по 1970 гг. в НИИЭМП были созданы базовые конструкционные ряды постоянных и переменных резисторов, которые закрыли номенклатурный дефицит в резисторах для военной техники, бытовой электронной аппаратуры и промышленной электроники.

К 70-му году были разработаны ряды постоянных проволочных малогабаритных резисторов типов С5-5, С5-14, С5-16, С5-17 с мощностью рассеивания от 0,125 до 10 Вт, позволившие расширить диапазон номинальных сопротивлений от 0,1 Ом до 180 кОм и в 100 раз снизить допуск на номинальное сопротивление (с ± 5 до ± 0,05%).

Бурное развитие авиационной, космической, радиотехнической и др. промышленностей потребовало от разработчиков резисторов решения задач по значительному улучшению характеристик переменных резисторов: стабильности полного и установленного сопротивления, точности подстройки, надежности в жестких условиях эксплуатации, уменьшения массогабаритных характеристик. Разработанные серии резисторов с прямолинейным перемещением контактной системы типов СП5-1/4, СП5-11/14, СП5-15 и с круговым перемещением контактной системы типов СП5-2, СП5-3, СП5-16 полностью отвечали требованиям, предъявляемым потребителями. Разработанные переменные проволочные малогабаритные резисторы с круговым перемещением контактной системы типа СП5-2/3 и до сегодняшнего дня являются одними из самых массовых изделий двойного применения.

В 60-х годах прошлого столетия за НИИЭМП было закреплено направление вакуумных конденсаторов, выключателей и реле, используемых в радиопередающих  устройствах ДВ-, СВ-, КВ-, УКВ-диапазонов. Появление в стране вакуумных конденсаторов и реле позволило заменить воздушные конденсаторы и коммутирующие устройства и решить в мощном радиоаппаратостроении ряд важнейших задач — увеличить мощность радиопередающей аппаратуры, скорость перестройки, значительно уменьшить вес и габариты аппаратуры, создать новые антенные коммутаторы, согласующие устройства и др.

Были созданы и внедрены в производство вакуумные конденсаторы постоянной емкости К61-1...20 на напряжения 5-45кВ, емкость 5-1000пФ; вакуумные конденсаторы переменной емкости до 4000пФ, напряжением до 50 кВ; вакуумные делители импульсных напряжений на 75, 100 и 200кВ; вакуумные выключатели - В7В-I, В9В-1; вакуумные реле поляризованные типов П4Д-1В, П2Д-1В, В1Д-4В; вакуумные реле неполяризованные типов П2Д-2В, П1Д-ЗВ, В1Д-2В1, В1Д-З В1 и др.; коаксиального типа П4Г-2В, П5Г-2В.

В настоящее время НИИЭМП является единственным предприятием в России и странах CHГ, которое занимается разработкой и производством вакуумных конденсаторов и высокочастотных вакуумных коммутирующих устройств.

В период с 1970 по 1980гг. перед институтом были поставлены задачи по дальнейшему расширению номенклатуры выпускаемых изделий, улучшению точностных  характеристик резисторов, повышению рабочего напряжения, снижению массогабаритных характеристик  и доведению их до уровня зарубежных образцов.

С середины семидесятых годов прошлого столетия, в соответствии с приказом МЭП № 273 от 31 мая 1977 г.,  в НИИЭМП начало развиваться новое для страны направление, связанное с разработкой керметных резисторных материалов и созданием  на их основе базовых конструкций - керметных резисторов. Преимущество керметных резисторов перед проволочными обеспечивалось уникальностью технологии их изготовления, которая базируется: на принципах порошковой металлургии нано - и микродисперсных порошков; на элементах планарной полупроводниковой технологии и трафаретной печати, заимствованной из полиграфии. Симбиоз этих технологий обеспечивает массовый, практически непрерывный и безотходный технологический процесс изготовления резисторов, отличающийся незначительными энергетическими затратами.

Разработанные керметные резисторные композиции и их использование для производства керметных резисторов и резисторных компонентов позволили на три порядка расширить верхнюю границу номинального сопротивления, увеличить удельную электрическую мощность, снизить массогабаритные характеристики и др.

Технический уровень и основные тенденции развития производства резисторов и резисторных компонентов определяются, в первую очередь, изделиями, имеющими уникальные параметры: по временной и температурной стабильности сопротивления; по величине токовых шумов; по точности обеспечения номинального сопротивления и др. Такими уникальными характеристиками обладают прецизионные и суперпрецизионные резисторы, изготавливаемые из резистивных сплавов в виде микропровода, микропроволоки и металлургической фольги микронных размеров. Если технология проволочных резисторов на основе фильерной проволоки и микропровода в стеклянной изоляции в это время широко использовалась при создании прецизионных резисторов, то производство металлофольговых резисторов отсутствовало. В связи с этим с середины семидесятых годов в НИИЭМП проводятся работы по их разработкам и освоению в производстве. Металлофольговые резисторы сочетают в себе достоинства проволочных резисторов, а использование прогрессивных технологических операций, заимствованных из полупроводниковой промышленности, обеспечивает групповой практически непрерывный технологический процесс их изготовления.

К концу семидесятых годов были разработаны базовые технологические процессы изготовления металлофольговых резисторов; специальные прецизионные сплавы и тонкие микронные ленты на их основе; решены вопросы по контролю параметров металлофольговых резисторов; создана технологическая линейка их изготовления.

В период с 1980 по 1990 гг. в результате проведения комплекса работ в НИИЭМП были разработаны и внедрены в производство:

- серия конструкционных рядов подстроечных резисторов типов СПЗ-37, СПЗ-39, СПЗ-44, РП1-48, РП1-53, РП1-85, РП1-75, РП1-82, РП1-60 и др.;

- серия толстопленочных наборов резисторов типов НР1-4, НР1-7, НР1-19, НР1-20, НР1-29, НР1-30 и др.;

- серия толстопленочных гибридных схем и регуляторов напряжения на их основе.

Освоение толстопленочной технологии позволило решить целый ряд проблем отраслевого значения и в кратчайший срок расширить область применения керметных резисторов и наборов резисторов.

Большой вклад в разработку и производство проволочных, металлофольговых и керметных резисторов внесли специалисты: Н.С. Тамбовцев, Д.М. Иванов, В.И. Филиппов, А.П. Буц, Н.И. Мордовин, Л.А. Левкина, Р.С. Шабадаш, А.С. Звыков, И.И. Юринова, З.И. Николаева, Г.В. Оболенская, В.А. Волков, Б.А. Борисов, В.Г. Марочкин, А.И. Рачин, Н.И. Аленин, Г.С. Чуркин, Г.А. Франк, Т.В. Евтушенко, А.С. Ермаков, Е.А. Архипов, Н.Т. Шеховцова, С.В. Подшибякин, П.А. Бондаренко, С.В. Ирышков, В.Н. Зубанова, В.П. Перова, А.В. Платонов, Г.В. Рябова и др.

Тонкопленочные наборы резисторов и ГИС ЦАП и АЦП ВТ на их основе. Необходимость разработки и производства наборов резисторов продиктована многими факторами: техническими, эксплуатационными и экономическими. Использование наборов резисторов обеспечивает увеличение плотности монтажа по сравнению с дискретными резисторами. В одних и тех же габаритах на резистивной плате за счет уменьшения соединительных проводниковых и присоединительных элементов достигается увеличение плотности размещения резисторов. Резистивные элементы набора резисторов и их внутренние и наружные соединения формируются в едином технологическом цикле за счет тонкопленочной технологии, поэтому значительно повышается их надежность по сравнению с использованием дискретных резисторов, размещаемых на печатных платах. При использовании единого технологического цикла изготовления наборов резисторов наблюдается незначительный разброс их параметров на плате, что особенно важно при применении данных наборов в качестве делителей напряжения или резистивных сеток типа R/2R. Если абсолютное значение температурного коэффициента сопротивления тонкопленочных резисторов обычно составляет ±(25…50)х10^-6 1/°C, то температурный коэффициент отношения сопротивления обычно не превышает ± (1…5)х1/°C, что приводит к резкому повышению точностных параметров изделий данного класса.

Уменьшается количество монтажных операций на печатной плате по сравнению с монтажом дискретных элементов. Не менее важным фактором является применение для изготовления наборов резисторов стандартных унифицированных корпусов, что позволяет использовать единое сборочное и монтажное оборудование, которое применяется для монтажа наиболее массовых изделий электронной техники, интегральных полупроводниковых микросхем.

В период с 1970 по 1980 гг. в НИИЭМП началось формирование нового научно-технического направления – тонкопленочных резисторных схем - базировавшегося на технологии получения тонких металлических и диэлектрических пленок методом испарения в вакууме. Основополагающей работой в этом направлении следует считать НИР «Спектр» (научный руководитель В.М. Терехов), подтвердившую теоретические предпосылки возможности создания высокоточных (прецизионных) тонкопленочных резисторных схем с высокими эксплутационными характеристиками. На базе результатов указанной НИР были проведены первые опытно-конструкторские работы по созданию изделий спецтехники (ОКР «Ладога» - главный конструктор В.В. Дубровский и ОКР «Нева» - главный конструктор А. В. Мартыненко). Это были работы, в которых приобретался опыт и набивались «шишки». Задача осложнялась жесткими требованиями Генерального заказчика к конструкции и электрическим характеристикам разрабатываемых изделий. Следует отметить, что одновременно с разработкой изделий производились их поставки заинтересованным предприятиям. Этот порядок использовался и в дальнейшем при выполнении договорных опытно-конструкторских работ. ОКР «Ладога» и «Нева» были первыми работами, внедренными в производство на опытном заводе при НИИЭМП, а в дальнейшем на серийных заводах в гг. Котовск, Абовян, Северодонецк. Развитие направления было подчинено задаче повышения точностных и эксплутационных характеристик; расширения номенклатуры тонкопленочных схем. Выполнение серии ОКР («Дон» - главный конструктор В.В. Дубровский, «Сура» - главный конструктор А.В. Мартыненко, «Кубань» - главный конструктор  В.В. Красовский, «Днепр», «Алдан» и «Обь» - главный конструктор Г.Н. Чаадаев, «Селигер» - главный конструктор Л.С. Проскурин, «Анадырь» - главный конструктор А.Н. Лугин, «Урал», «Эльбрус» - главный конструктор М.В. Николаев) и внедрение разработанных изделий в серийное производство позволило решить эти задачи и обеспечить комплектацию радиоэлектронной аппаратуры спецназначения и народного хозяйства высоконадежными прецизионными изделиями. Возрастающие требования к изделиям определяли необходимость совершенствования их конструкторско-технологической базы. На начальном этапе конструктивной основой изделий являлись металлополимерные корпуса собственной разработки; в дальнейшем был осуществлен переход на стандартные металлокерамические корпуса ИС. Технологической основой первых разработок было получение слоев (резистивных, защитных, проводниковых) вакуумным термическим распылением с использованием прецизионных и металлических масок; подгонка (юстировка) электроискровым методом; контроль параметров на установках, собранных из стандартных приборов. На последующих этапах в середине 70-х годов произошло полное технологическое переоснащение разработок и производства: были внедрены процессы фотолитографии, высокопроизводительное оборудование термического и ионно-плазменного распыления, полуавтоматическая ультразвуковая  и лазерная подгонка изделий, разработаны специализированные на уровне эталонных прецизионные измерительные комплексы контроля параметров.

В результате выполнения опытно-конструкторских работ были созданы:

• серия тонкопленочных микросхем типов 301НР1-2, 301НРЗ-6, 301НР7- 12, 313НР210-420, К311НР101-331, К312НР1-6 и др.;

• прецизионные типов НР1-17, НР1-27, НР1-33;

• бескорпусные типа НР1-31;

• корпусные типов НР1 -43, НР1 -46;

• делители напряжения типов НР1 -16, НР1 -22, НР1 -28;

• выходные делители напряжения типов НР1-45, ЮУМ3.418.013ТУ, 308НР6;

• делители напряжения R-2R типов НР1-48,НР1-53,313НР210...420.

В качестве научно-технического задела инициативно проводились работы по созданию прецизионных гибридных ЦАП и АЦП с использованием резисторных схем (руководитель работ М.Я. Рожко).

Истоки направления ГИС относятся к началу 70-х годов, когда была поставлена первая  научно-исследовательская работа "Определение технических требований и пути реализации кодоуправляемого потенциометра". При постановке данной работы пришлось прибегнуть  к хитрости. В те времена в МЭП СССР была четкая специализация, и разработка ГИС не вписывалась в закрепленные за институтом направления, поэтому название гибридной микросхемы цифро-аналогового преобразователя (ГИС ЦАП), которое не приняли руководители бывшего министерства, было заменено на кодоуправляемый потенциометр. Необходимо отметить, что название ОКР по сегодняшним меркам, нормальное. В настоящее время за рубежом существуют электронные потенциометры (это то же, что и кодоуправляемые) – в нашей же стране основателем данного направления является НИИЭМП. Термин "цифро-аналоговый преобразователь" появился  в НИИЭМП в названии ОКР "Ангара-3" (гл. конструктор Рожко М.Я.).

В НИР "Драга-П" были созданы первые гибридные интегральные схемы ЦАП с числом разрядов – 8.

В 1975 г. была закончена НИР "Квант" «Создание  конструктивно-технологических и схемотехнических принципов построения 8-разрядного интегрального аналого-цифрового преобразователя с временем преобразования не более 1 мкс»  (руководитель НИР Голованов Г.М.).

В 1978 г. научным руководителем НИР по созданию ЦАП становится Рожко М.Я. (НИР "Ангара-1"), который по сути дела является прародителем всех современных работ; заложенные им технологические подходы и необходимая комплектация используются в современных разработках ГИС ЦАП и АЦП.

В период с 1980 по 1990 гг. проводятся работы по дальнейшему совершенствованию параметров тонкоплёночных наборов резисторов; по развитию направления гибридных интегральных схем; по внедрению вычислительной техники в процессы разработки новых изделий и микропроцессорной техники в нестандартизованное контрольно-измерительное оборудование.

В 1981 году происходит смена руководства научно-производственного сектора (НПС) по разработке тонкопленочных наборов резисторов и ГИС ЦАП АЦП на их основе. Начальником НПС становится бывший начальник лаборатории Мартыненко Арсен Владимирович.

С приходом Мартыненко А.В. структура НПС несколько изменилась. Была организована лаборатория напыления под руководством Черепанова Ю.Н., лаборатория сборки ГИС, которую возглавил Лугин А.Н. Эта лаборатория, фактически скоординировавшая основные операции сборки, длительное время являлась основой для разработки и внедрения всех современных сборочных процессов не только ГИС, но и наборов резисторов. В это время в лаборатории были внедрены процессы сборки кристаллов на гибком носителе, процессы сварки алюминиевой проволокой, процессы герметизации лазерной и шовной сваркой, лазерной подгонки, электротоковой подгонки, групповой герметизации обволакиванием. При участии специалистов лаборатории разработаны контрольно-измерительное оборудование для ГИС и заказные корпуса в г. Ташкенте на заводе "Миконд" и г. Й-Оле, на ПО "Изотоп". По заказу лаборатории было получено и введено в эксплуатацию значительное количество современного оборудования, в т.ч. установки сварки для систем выводов на гибком носителе, автоматизированные установки микросварки, установки контроля сварки, установки лазерной герметизации и подгонки. Было приобретено оборудование, и организована термоэлектротренировка комплектующих и ГИС ЦАП.

Много сил в становление лаборатории вложено ведущими инженерами Агеевым В.А., Кудряшовым А.П., Шипиловым А.С., Носковым А., Волковым Н.В., а также рабочими - Трушниной Н.И., Смирновой Р.К., Пузиковой З.С.

В разное время в лаборатории работали Кулагина В.В., Гусева Н.В., Бугоркова В.Ю., Широков В.Б., Чебуренко Л.А., Гайченко Г.А.

В середине 80-х годов в НПС-5 была организована лаборатория САПР во главе с начальником лаборатории Плотниковым В.В. Эта лаборатория при большом участии Рожко М.Я. первая в институте внедрила АРМ "Кулон" для проектирования топологических структур, а затем АРМ "Оргтекст" для оформления текстовой документации. Эта же лаборатория в 80-е годы внедрила первые отечественные ПЭВМ типа ДВК для оформления текстовой документации.

В середине 80-х годов была предпринята 2-я попытка организовать в отделе направление твёрдотельной микроэлектроники, но вышестоящие чиновники не позволили выполнить это намерение. Надо при этом упомянуть в доказательство правильности предпринятого руководством НИИЭМП шага следующее: после распада СССР единственным предприятием в РФ, имеющим опыт и кадры для разработки высокоточных ЦАП-АЦП, был НИИЭМП и урон от принятого ранее решения был нанесен не только НИИЭМП, но и стране в целом. К сожалению, и в настоящее время в РФ отсутствует целостность в подходе при проведении разработок прецизионных ЦАП-АЦП.

Восьмидесятые годы можно характеризовать расцветом в НИИЭМП гибридной технологии высокоточных ЦАП. В это время были завершены: ОКР "Ангара-3" (гл. конструктор Рожко М.Я.), ОКР "Ангара-6" (гл. конструктор Каменский Е.А.), ОКР "Ангара-50" (гл. конструктор Лях С.Е.), ОКР "Ангара-80" (гл. конструктор Диянов А.И.) и ОКР "Ангара-61" (гл. конструктор Каменский Е.А.).В это время впервые в стране были созданы 16-18 - разрядные ЦАП серии 427. Если в ЦАП К427ПА1 ("Ангара-3") использовались серийно выпускаемые аналоговые ключи типа 572 разработки ПО "Альфа" (г. Рига), то в последующих ЦАП использовался кристалл аналоговых ключей разработки ПО "Альфа", выполненный по заказу НИИЭМП (гл. конструктор Рожко М.Я.). Все разработанные ГИС ЦАП были освоены в производстве и до настоящего времени поставляются малыми сериями.

Разработка и производство ГИС ЦАП-АЦП стали возможными благодаря разработке и изготовлению собственного автоматизированного контрольно-измерительного оборудования, не имеющего аналогов ни в бывшем СССР, ни в РФ. В его создание особый вклад внесли начальник лаборатории КИО Чернышев Н.И.- главный конструктор установки измерения статических параметров (ОКР "Иргиз-1" и ОКР "Иргиз-10"); ведущий инженер, будущий д. т. н. Власов Г.С.; ведущий инженер Шестернин А.Н.- главный конструктор установки измерения динамических параметров ЦАП; ведущий инженер Алексеенко В.А. Во всех типах КИО были использованы ПЭВМ типа ДВК.

Большой вклад в разработку КИО внесли ведущий научный сотрудник Скорляков А.А., создавший БМК для изделия "Протон", ведущие инженеры Барышев С.Н. и Михайлов А.С., принимавшие участие в создании КИО для того же изделия.

Период с 2000г по н.в.  В 2002 году, после тяжелейших пережитых институтом 10 лет, была завершена ОКР «Камышит», выполнение которой находилось под угрозой срыва из-за недофинансирования и различного рода "секвестров". В результате выполнения ОКР была создана и освоена в производстве первая отечественная микросхема аналого-цифрового преобразователя напряжений вращающихся трансформаторов (АЦП ВТ) – 427ПВ2Т. ОКР "Камышит" была завершена в сжатые сроки под руководством главного конструктора Каменского Е.А. Однако это первое и новое изделие получилось не совсем технологичным, и уже в 2003 году началась ОКР "Камышит-10" (главный конструктор Каменский Е.А.) по разработке микросборки АЦП ВТ с габаритами в два раза меньше прежнего изделия. Планировалось также усовершенствовать номенклатуру применяемой компонентной базы, повысить технологичность и технические характеристики.

ОКР «Камышит-10» была завершена в 2006 году, и закончилась освоением в производстве микросборок АЦП ВТ типа 2602ПВ2П. В период проведения ОКР был проведен анализ рыночной среды – были произведены поставки опытных образцов потребителям и их опробование в аппаратуре. Отзывы потребителей самые благоприятные. Однако, несмотря на принятые меры по обеспечению рынка и повышению технологичности изготовления, полномасштабное производство микросборок до настоящего времени не налажено.

В начале 2000-х годов за счет собственных средств была проведена ОКР "Ангара-91" (главный конструктор Герасимов А.Н.) по разработке 18-разрядного ЦАП с дифференциальной и интегральной нелинейностью до ±0,0002%. Цифро-аналоговый преобразователь К427ПА5, созданный в результате выполнения этой работы, нашел применение в высокоточной поверочной и космической аппаратуре и в настоящее время поставляется небольшими партиями.

При разработке ЦАП был использован металлостекляный корпус типа «Гудок», который изготавливался на ПО «Миконд» г. Ташкент и поставки которого после распада СССР были прекращены. Для решения вопроса по обеспечению ЦАП корпусами на Донском заводе радиодеталей, г. Донской Тульской области, был разработан и освоен в производстве корпус «Доверие-3». На его базе был создан металлокерамический 42-выводной корпус «Доверие-4», который был применен для модернизации цифро-аналоговых преобразователей 427ПА2 и 427ПА4 в рамках ОКР «Ограничитель». В результате её выполнения были созданы новые ГИС ЦАП – К427ПА2Т и К427ПА4Т.

Спецмашиностроение. Приказом Министра электронной промышленности СССР №618 от 03.12.1966 г. была определена специализация НИИЭМП. Она предусматривала, в частности, разработку и внедрение на заводах 4 ГУ МЭП СССР комплексных линий средств автоматизации и механизации производства резисторов, а также измерений их электрических параметров, обеспечивающих высокую эффективность производства и качество выпускаемых изделий.

В период с 1967 по 1975 гг. служба спецмашиностроения НИИЭМП создала и поставила заводам 4 ГУ высокопроизводительное металлообрабатывающее оборудование: полуавтоматы непрерывного фрезерования, 8- и 12-позиционные агрегатные станки. Использование этого оборудования позволило увеличить производительность в 8-11 раз.

По разработкам НИИЭМП был осуществлен перевод сборки резисторов ПЭ, ПЭВ, ПТМН, СП5-2/3, СП5-35, СП5-50 и др. на комплексно-механизированные поточные линии. Так, например, внедрение комплекта оборудования для производства изделий СП5-2/3 позволило увеличить производительность труда в 1,8 раза, значительно улучшить качество, снизить себестоимость изделий на 20%, условно высвободить 220 рабочих. Внедрение разработанных средств механизации в производстве резистора СП5-28 позволило поднять производительность труда на 120% и условно высвободить 205 человек в пересчете на 1 комплект оборудования.

С целью снижения трудоемкости изготовления резистивных элементов в подотрасли были разработаны и изготовлены на опытном заводе НИИЭМП намоточные станки СН-2Ш для переменных проволочных резисторов в количестве 200 единиц и станки СНПС-1 для постоянных проволочных резисторов в количестве 500 единиц.

В начале 80-х годов потенциал и мощности машиностроительного комплекса были задействованы на решении задач создания и внедрения на заводы подотрасли сборочных полуавтоматических и автоматических линий с микропроцессорным управлением. Первые головные линии для сборки массовых переменных резисторов типа СПЗ-4М были внедрены на заводах ПО «Омега» г. Унеча, ЗРД г. Пружаны, ПМЗР, г. Москва.

Опыт создания этих линий и необходимость разработки в короткие сроки новых для изготовления широкой номенклатуры резисторов продиктовали необходимость создания унифицированной элементной базы. В результате в НИИЭМП были разработаны унифицированные столы; манипуляторы; спутники; загрузочные, транспортные и микропроцессорные устройства, а на заводах подотрасли созданы необходимые мощности.

На базе унифицированных узлов были созданы автоматические сбороч­ные линии с микропроцессорным управлением для производства наборов резисторов НР1-7; резисторов ППЗ-40-43, СПЗ-39НА, СПЗ-39А; наборов резисторов Б19М-1/3; микросхем серии 318; сборки узлов изделий СП5-2/3 и СПЗ-39; сборки резисторов СП5-2/3; сборки основания с выводами резисторов СПЗ-39А, СПЗ-39НА; общей сборки резисторов РП1-53М, СП5-35, СП5-36, РП1-48 и др.

Наибольший вклад в развитие спецмашиностроения внесли:

руководители базы машиностроения: Н.С. Тамбовцев, А.Д. Баурин, А.С. Глухов;

начальники отдела спецтехнологического оборудования: А.П. Белов, Н.М. Дёрин, Е.И. Нефёдов;

начальники лабораторий: Б.В. Афанасьев, Н.А Сазыкин, Б.И. Глазырин, А.И. Печников, И.А. Гамолин, А.Г. Назаров, С.П. Столяров, А.Т. Зимин;

ведущие инженеры: А.А. Фомин, Г.И. Шилкин, В.Н. Алёшин, Н.В. Пятачков, А.П. Ципляев, А.А. Петрухин, О.Г. Астафьев, К.С. Карпов, В.Д. Порывалов, В.В. Народецкий, А.А. Ильин, В.В. Кузнецов, Н.И. Филимонов, Б.В. Богданов, Г.С. Пономарёв, Ю.Н. Макейкин, Ю.П. Нежутин и другие.

В середине 60-х гг. в НИИЭМП было создано подразделение по разработке специализированного КИО, коллективом которого разработана большая номенклатура контрольно-измерительного оборудования:

• полуавтомат разбраковки плат с управлением от микропроцессора;

• установка для измерения сопротивления прецизионных резисторов с погрешностью ±0,0005%;

• полуавтоматическая установка контроля параметров 14-разрядных ГИС АЦП с управлением от ЭВМ;

• линия контроля резисторов СП5-3;

• полуавтоматическая установка для измерения ТКС резисторов.

С5-53,С5-54,С5-60,С5-61, Р2-67, Р2-69 в диапазоне температур (минус 60 ... 125) °С с погрешностью измерения ± (0,2 - 0,3) 10^-61/°С и многое другое.